低溫等離子體被廣泛應用于脈沖激光沉積、磁控濺射、等離子體增強化學氣相沉積等現代半導體薄膜真空沉積技術中，并承擔著薄膜組分物質輸運、薄膜形核與生長動力學調控等關鍵性角色。由于等離子體性質是聯(lián)系薄膜真空沉積條件與沉積性能的關鍵性紐帶，以對等離子體性質的表征與探測為突破口并建立其與薄膜沉積條件和性能之間的基礎關系，有助于從理論角度為薄膜沉積條件的設計與動力學過程優(yōu)化提供依據。本書結合作者的長期相關研究系統(tǒng)介紹了低溫等離子體的常用探測方法；重點結合脈沖激光沉積實例對等離子體與背景氣體間復雜的物理碰撞與化學反應，以及對薄膜沉積的基礎性影響關系作詳細介紹。

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