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本書(shū)聚焦CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)領(lǐng)域，從版圖的基本概念、設(shè)計(jì)方法和EDA工具入手，循序漸進(jìn)介紹了CMOS模擬集成電路版圖規(guī)劃、布局、設(shè)計(jì)到流片的全流程；詳盡地介紹了目前主流使用的模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具——Cadence IC 6.1.7與Siemens EDA Calibre Design Solutions (Calibre)；同時(shí)展示了運(yùn)算放大器、帶隙基準(zhǔn)源、低壓差線性穩(wěn)壓器、模－數(shù)轉(zhuǎn)換器等典型模擬集成電路版圖的設(shè)計(jì)實(shí)例，并結(jié)合實(shí)例對(duì)LVS驗(yàn)證中的典型案例進(jìn)行了歸納和總結(jié)；最后對(duì)集成電路設(shè)計(jì)使用的工藝設(shè)計(jì)工具包內(nèi)容，以及參數(shù)化單元建立方法進(jìn)行了討論。
本書(shū)通過(guò)結(jié)合基礎(chǔ)、工具和設(shè)計(jì)實(shí)踐，由淺入深，使讀者深刻了解CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的規(guī)則、流程和基本方法，對(duì)于進(jìn)行CMOS模擬集成電路學(xué)習(xí)的高年級(jí)本科生、研究生,以及從事集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證的工程師，都能提供有益的幫助。

進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝仍是模擬、邏輯集成電路的主流工藝，并在后摩爾時(shí)代，向著納米級(jí)繼續(xù)發(fā)展。作為集成電路最為經(jīng)典的設(shè)計(jì)形式，CMOS模擬集成電路在當(dāng)今快速發(fā)展的技術(shù)革新中依然占據(jù)著不可動(dòng)搖的地位。而其中的模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證，又是電路設(shè)計(jì)到物理實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
與數(shù)字集成電路版圖主要依據(jù)工具實(shí)現(xiàn)不同，模擬集成電路版圖主要依靠設(shè)計(jì)者手動(dòng)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)者的技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)都是一款芯片成敗的關(guān)鍵因素。因此本書(shū)依托版圖設(shè)計(jì)工具Cadence IC 6.1.7和物理驗(yàn)證工具Siemens EDA Calibre Design Solutions (Calibre)，從模擬集成電路版圖的基本概念、方法入手，通過(guò)運(yùn)算放大器、帶隙基準(zhǔn)源、低壓差線性穩(wěn)壓器、模－數(shù)轉(zhuǎn)換器等典型模擬集成電路版圖的設(shè)計(jì)實(shí)例，向讀者介紹模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ)和實(shí)用設(shè)計(jì)方法，以供從事CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)的讀者參考討論之用。
本書(shū)內(nèi)容主要分為6個(gè)部分，共12章內(nèi)容：
第1章首先介紹目前快速發(fā)展的先進(jìn)集成電路器件的理論知識(shí)，包括納米級(jí)FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、FD-SOI（全耗盡-絕緣襯底上硅）和碳基晶體管的特點(diǎn)和物理特性。分析了先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)中的版圖相關(guān)效應(yīng)及解決方案。同時(shí)對(duì)模擬集成電路中的gm/ID設(shè)計(jì)方法進(jìn)行詳細(xì)分析。
第2章重點(diǎn)討論CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)的基本流程、模擬集成電路版圖定義，之后分小節(jié)討論CMOS模擬集成電路版圖的概念、設(shè)計(jì)、驗(yàn)證流程、布局和布線準(zhǔn)則，以及通用的設(shè)計(jì)規(guī)則。
第3~6章分章節(jié)詳細(xì)介紹了版圖設(shè)計(jì)工具Cadence IC 6.1.7、物理驗(yàn)證工具Siemens EDA Calibre、DRC/LVS規(guī)則定義、修改法則，以及完整的CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)、驗(yàn)證流程。
第7~10章介紹運(yùn)算放大器、帶隙基準(zhǔn)源、低壓差線性穩(wěn)壓器、模－數(shù)轉(zhuǎn)換器、標(biāo)準(zhǔn)輸入輸出單元庫(kù)等基本模擬電路版圖規(guī)劃、布局，以及設(shè)計(jì)的基本方法。
第11章對(duì)Siemens EDA Calibre中LVS驗(yàn)證的常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行了歸納和總結(jié)，希望幫助讀者快速掌握版圖驗(yàn)證的基本分析技巧。
第12章對(duì)集成電路設(shè)計(jì)所使用的工藝設(shè)計(jì)工具包進(jìn)行了介紹和討論，分析了所包含的規(guī)則文件和器件模型。
本書(shū)內(nèi)容詳盡豐富，具有較強(qiáng)的理論性和實(shí)踐性。本書(shū)由廈門理工學(xué)院光電與通信工程學(xué)院陳鋮穎老師主持編纂，北京郵電大學(xué)陳黎明老師、北京大學(xué)蔣見(jiàn)花老師和北京理工大學(xué)王興華老師一同編寫(xiě)完成。其中蔣見(jiàn)花老師完成了第1章的編寫(xiě)，王興華老師進(jìn)行了第2章的撰寫(xiě)工作，陳鋮穎老師完成了第3~11章的編寫(xiě)，第12章由陳黎明老師編寫(xiě)完成。同時(shí)感謝中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所高級(jí)工程師范軍，北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司工程師王鑫，廈門理工學(xué)院微電子學(xué)院陳智峰、廖文麗、陳繼明、陳煌偉同學(xué)在查找資料、文檔整理、文稿審校方面付出的辛勤勞動(dòng)，正是有了大家的共同努力，才使本書(shū)得以順利完成。
本書(shū)受到廈門市重大科技計(jì)劃項(xiàng)目（3502Z20221022）和廈門理工學(xué)院教材建設(shè)基金項(xiàng)目資助。
由于本書(shū)涉及器件、電路、版圖設(shè)計(jì)等多個(gè)方面，受時(shí)間和編者水平限制，書(shū)中難免存在不足和局限，懇請(qǐng)讀者批評(píng)指正。

編者2023年7月

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