引言
第1章 石墨烯概論
1．1 碳同素異形體的發(fā)展
1．2 石墨烯的簡介
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第2章 離子注入及石墨烯制備方法
2．1 離子注入技術(shù)發(fā)展
2．2 離子與固體相互作用
2．3 離子注入
2．4 半導(dǎo)體器件制備中的應(yīng)用
2．5 在器件生產(chǎn)中離子注入問題
2．6 離子注入制備石墨烯
參考文獻(xiàn)

第3章 離子注入法合成石墨烯的前期探索
3．1 離子注人鎳膜合成厚度可調(diào)的石墨烯層
3．2 離子注人鎳薄膜合成少層石墨烯
3．3 高溫碳注入鎳膜獲得多層石墨烯
3．4 碳離子注入鎳膜并快速熱退火后局域生長石墨烯
3．5 利用高溫碳離子注入合成晶圓級多層石墨烯
參考文獻(xiàn)

第4章 團(tuán)簇離子注入制備石墨烯的研究
4．1 團(tuán)簇離子注入制備石墨烯及非線性損傷效應(yīng)的研究
4．2 超低能負(fù)團(tuán)簇離子束系統(tǒng)及其在制備少層石墨烯中的應(yīng)用
4．3 采用團(tuán)簇離子束注入合成高質(zhì)量石墨烯
4．4 C2-C6團(tuán)簇離子注入制備少層石墨烯的拉曼光譜研究
4．5 通過離子注人法在SiO2/Si上直接合成石墨烯
4．6 探索團(tuán)簇離子注入的制備方法：從超薄碳膜到石墨烯
4．7 低能團(tuán)簇負(fù)離子束研究
4．8 負(fù)碳團(tuán)簇離子注入銅箔制備石墨烯
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第5章 離子注入SiC合成石墨烯
5．1 通過離子注入法在SiC上刻畫石墨烯納米帶
5．2 通過離子注入和脈沖激光退火對SiC進(jìn)行低溫選擇性石墨化
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第6章 離子注入碳化硅合成石墨烯的研究
6．1 碳化硅上合成石墨烯：通過碳團(tuán)簇和氬離子注入降低石墨化溫度
6．2 離子束混合技術(shù)在SiC上無轉(zhuǎn)移合成類石墨烯的原子級薄碳膜
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結(jié)束語