第一部分 高性能低功耗三維集成電路設(shè)計(jì)
第1章 三維集成電路的硅通孔布局
1．1 引言
1．2 研究現(xiàn)狀
1．3 基礎(chǔ)知識(shí)
1．3．1 三維集成電路設(shè)計(jì)
1．3．2 最大允許硅通孔數(shù)
1．3．3 最小硅通孔數(shù)
1．3．4 線長和硅通孔數(shù)的折衷
1．4 三維集成電路物理設(shè)計(jì)流程
1．4．1 劃分
1．4．2 硅通孔插入和布局
1．4．3 布線
1．5 三維全局布局算法
1．5．1 力驅(qū)動(dòng)布局簡介
1．5．2 三維布局算法簡介
1．5．3 三維集成電路中的單元布局
1．5．4 硅通孔位置原理中硅通孔的預(yù)布局
1．5．5 三維節(jié)點(diǎn)的線長計(jì)算
1．6 硅通孔分配算法
1．6．1 硅通孔分配算法的最佳解
1．6．2 基于MST的硅通孔分配
1．6．3 基于布局的硅通孔分配
1．7 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
1．7．1 線長和運(yùn)行時(shí)間比較
1．7．2 金屬層和硅面積比較
1．7．3 線長和硅通孔數(shù)折衷
1．7．4 線長，管芯面積和管芯數(shù)折衷
1．7．5 硅通孔協(xié)同布局與硅通孑L位置對(duì)照
1．7．6 硅通孔尺寸影響
1．7．7 時(shí)序和功耗比較
1．8 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 三維集成電路斯坦納布線
2．1 引言
2．2 研究現(xiàn)狀
2．3 基礎(chǔ)知識(shí)
2．3．1 問題表述
2．3．2 研究方法簡介
2．4 三維斯坦納樹構(gòu)建
2．4．1 算法簡介
2．4．2 計(jì)算連接點(diǎn)和硅通孔位置
2．4．3 延時(shí)方程優(yōu)化
2．5 采用硅通孔重布局進(jìn)行三維樹精化
2．5．1 算法簡介
2．5．2 可移動(dòng)范圍
2．5．3 簡化熱分析
2．5．4 非線性規(guī)劃
2．5．5 整數(shù)線性規(guī)劃
2．5．6 快速整數(shù)線性規(guī)劃
2．6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
2．6．1 實(shí)驗(yàn)參數(shù)
2．6．2 樹構(gòu)建結(jié)果
2．6．3 延時(shí)和線長分布
2．6．4 硅通孔重布局結(jié)果
2．6．5 硅通孔尺寸和寄生效應(yīng)影響
2．6．6 鍵合類型影響
2．6．7 兩管芯和四管芯疊層比較
2．7 結(jié)論
附錄
參考文獻(xiàn)
第3章 三維集成電路的緩沖器插入
3．1 引言
3．2 問題定義
3．3 研究動(dòng)機(jī)宴例
……

第二部分 三維集成電路設(shè)計(jì)中的電可靠性
第三部分 三維集成電路設(shè)計(jì)中的熱可靠性
第四部分 三維集成電路設(shè)計(jì)的機(jī)械可靠性
第五部分 其他論題
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