目錄
前言
第1章光纖通信網(wǎng)概述1
1.1光纖通信網(wǎng)發(fā)展概述1
1.2光纖通信網(wǎng)的特點及架構3
1.2.1光纖通信網(wǎng)的特點3
1.2.2光纖通信網(wǎng)的架構4
1.3波分復用系統(tǒng)7
1.3.1波分復用系統(tǒng)的基本概念及特點7
1.3.2波分復用系統(tǒng)的構成7
1.3.3波分復用系統(tǒng)的波分復用器件和應用8
參考文獻9
第2章半導體物理基礎10
2.1材料類型10
2.1.1半導體材料10
2.1.2其他材料11
2.2材料特征13
2.2.1折射率13
2.2.2工作波長14
2.2.3非線性效應15
2.2.4偏振效應16
2.3半導體理論基礎17
2.3.1能帶理論17
2.3.2能級躍遷和輻射19
2.3.3粒子數(shù)反轉21
2.3.4摻雜作用22
2.3.5PN結23
參考文獻24
第3章Ⅲ-Ⅴ族光電探測器26
3.1光電探測器簡介26
3.1.1光接收機26
3.1.2光電探測器（光電檢測器）28
3.2新型光電探測器的分類30
3.2.1單行載流子光電探測器30
3.2.2波導型光探測器31
3.2.3雙吸收層型光探測器32
3.3光電探測器的工作特性33
3.3.1量子效率與響應度33
3.3.2響應速度35
3.3.3暗電流36
3.3.4線性響應度36
3.3.5噪聲特性37
參考文獻39
第4章Ⅲ-Ⅴ族光電探測器制備工藝40
4.1晶體的生長和外延40
4.1.1晶體的生長40
4.1.2外延生長技術42
4.1.3外延層的結構和存在問題43
4.2薄膜淀積44
4.2.1熱氧化44
4.2.2射頻濺射實現(xiàn)金屬化45
4.3基于光刻與刻蝕的平面加工46
4.3.1光學曝光技術46
4.3.2電子束曝光技術48
4.3.3刻蝕技術49
4.3.4模型加工技術51
參考文獻53
第5章基于Ⅲ-Ⅴ族光電探測器的解復用光接收器件54
5.1光電集成技術的發(fā)展及其在解復用光接收器件中的應用54
5.2波分復用系統(tǒng)中的光波分解復用器58
5.2.1TFF型解復用器58
5.2.2AWG型解復用器60
5.2.3FBG型解復用器61
5.3波分復用系統(tǒng)解復用光接收器件62
5.3.1波導型光探測器63
5.3.2基于F-P濾波腔的光探測器65
5.3.3諧振腔增強型光探測器66
參考文獻67
第6章高性能Ⅲ-Ⅴ族光電探測器70
6.1基于垂直楔形吸收腔的Si基長波長解復用光接收器件71
6.1.1器件的基本結構71
6.1.2理論計算與特性分析71
6.1.3器件的外延生長和制備75
6.1.4器件的測試和分析79
6.2基于錐形吸收腔的Si基長波長解復用光接收器件81
6.2.1基本結構與理論仿真82
6.2.2圓錐形微結構的制作工藝87
6.2.3器件的外延生長與制備88
6.2.4器件的測試和分析88
6.3具有干頂陡邊光譜響應的Si基長波長集成解復用光探測器90
6.3.1具有平頂陡邊響應特性的Si基長波長集成解復用光探測器的理論分析94
6.3.2基于BCB樹脂的晶片鍵合技術98
6.3.3器件的外延生長和制備100
6.3.4器件的測試和分析104
參考文獻106
第7章高性能Ⅲ-Ⅴ族光電探測器的應用110
7.1接入光網(wǎng)絡110
7.1.1網(wǎng)絡特點110
7.1.2關鍵技術111
7.1.3實例分析116
7.2動態(tài)可重構光網(wǎng)絡122
7.2.1網(wǎng)絡特點122
7.2.2關鍵技術122
7.2.3實例分析124
7.3相干光網(wǎng)絡126
7.3.1網(wǎng)絡特點126
7.3.2關鍵技術127
7.3.3實例分析129
參考文獻130
第8章Ⅲ-Ⅴ族光電探測器的未來發(fā)展趨勢131
8.1光電探測器的展望131
8.2新器件與新技術132
8.2.1單行載流子光探測器133
8.2.2基于微納結構集成的Ⅲ-Ⅴ族光探測器135
8.2.3聚焦離子束加工技術138
8.2.4軟光刻加工技術139
參考文獻140