相變晶體學(xué)是定量理解兩相晶體的位向關(guān)系、相變產(chǎn)物形貌、相界面法向、相界面微觀結(jié)構(gòu)以及相變引起的應(yīng)變場等晶體學(xué)特征的重要手段。相變晶體學(xué)特征還與相變熱力學(xué)、相變動力學(xué)、新相周圍的約束以及界面成分等因素密切相關(guān)。因此，相變晶體學(xué)對深入理解材料組織形成，進而科學(xué)地預(yù)測和控制材料組織生長和特性具有重要的指導(dǎo)意義。 本書將相界面

氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用正在快速發(fā)展，本書以作者所在團隊多年來的研究工作為基礎(chǔ)，并作了大量擴展和補充，呈現(xiàn)了該領(lǐng)域的最新研究成果。具體來說，本書分八章內(nèi)容詳細介紹了氮化鎵單晶材料生長的基本原理、技術(shù)方法、發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用趨勢。本書系統(tǒng)性強，有較完整的專業(yè)知識講解，實驗數(shù)據(jù)豐富。雖然本書所涉及內(nèi)容沒有涵蓋氮化鎵單晶材料生長

本書系統(tǒng)介紹液晶材料的合成、純化及分析表征技術(shù)。首先介紹液晶材料性能及表征方法，液晶顯示模式對液晶材料的要求，以及液晶材料的設(shè)計合成與應(yīng)用前景等；其次介紹環(huán)己烷類液晶材料、萘衍生物液晶材料、橋鍵類液晶材料、含氟液晶材料、端烯液晶材料、雜環(huán)液晶材料，以及手性液晶材料關(guān)鍵基團的構(gòu)建合成設(shè)計與典型反應(yīng)、分離及表征方法、結(jié)構(gòu)與

結(jié)晶化學(xué)導(dǎo)論（第4版）

本書將礦物材料與固廢資源高效開發(fā)利用緊密結(jié)合，闡述了脫硫石膏在酸性低鹽溶液中水熱制備晶須涉及的理論與技術(shù)。內(nèi)容包括：無機鹽添加劑對脫硫石膏溶液組成和晶須制備的影響、晶須制備宏觀參數(shù)與微觀參數(shù)之間定量關(guān)系、脫硫石膏晶須水熱生長動力學(xué)、無機鹽陰陽離子作用機理、晶須晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化規(guī)律、脫硫石膏晶須綠色制備與應(yīng)用探索等。

本書介紹了液封提拉法生長晶體技術(shù)的特點及研究現(xiàn)狀、藍寶石單晶生長技術(shù)的現(xiàn)代趨勢和應(yīng)用進展,重點討論了基于液封提拉法制備藍寶石晶體、硅單晶的熱毛細對流的線性穩(wěn)定性分析方法,給出了微重力條件下、常重力條件下,5cSt硅油/HT-70、B2O3/藍寶石熔體工質(zhì)對在上部為自由表面的熱毛細對流、上部為自由表面的浮力-熱毛細對流、

Fe4N材料屬于新型功能材料,在自旋電子學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值,本書可以使讀者對Fe4N材料進行詳細的了解,稿件從引言、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N多晶薄膜、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N外延薄膜、摻雜對Fe4N薄膜的影響、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N-反鐵磁性異質(zhì)結(jié)構(gòu)、反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)Fe4N基多

本書主要分為兩大部分：第一部分全面總結(jié)研究特別是我國30年來含氟液晶研究進展，并介紹液晶的分類，液晶的分子理論，液晶相變與測試方法，液晶分子結(jié)構(gòu)與液晶性，液晶的氟化學(xué)等；第二部分重點闡述各種含氟液晶的特點、合成方法及應(yīng)用，比如甾類液晶、含氟非極性液晶、含氟極性液晶、含氟鐵電液晶、含氟偶氮液晶、聚合物梳形含氟液晶等。

本書介紹了具有光子帶隙或特定方向上具有周期性的混合型光子晶體，闡述了光子晶體局域光的能力及其在濾波器、分束器等器件上的應(yīng)用，具體包括：復(fù)合電介質(zhì)的電磁學(xué)理論、對稱性與固態(tài)電磁學(xué)理論、一維光子晶體、二維光子晶體、三維光子晶體、周期性介電波導(dǎo)、平板光子晶體、光子晶體光纖等內(nèi)容。

芯片，是集成電路也是硅片，是微電子技術(shù)的主要產(chǎn)品，計算機芯片是一種用硅制成的薄片，硅晶體的結(jié)構(gòu)理論及應(yīng)用，在芯片制造中起著關(guān)鍵的基礎(chǔ)作用，高純度的硅晶體能夠控制電能泄露、減少電能需求，降低芯片發(fā)熱量，芯片的結(jié)晶過程與技術(shù)的研究是芯片生產(chǎn)制造的重要基礎(chǔ)環(huán)節(jié)。本書系世界學(xué)術(shù)研究前沿叢書之一，采用全英文出版，主要選擇近3年世